特許
J-GLOBAL ID：200903043005888766
半導体基板の洗浄方法および洗浄装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-116532
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326599
出願日： 1994年05月30日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：
【要約】【構成】 半導体基板を洗浄するに際し、洗浄槽から抜き出した洗浄液中の微粒子数をレーザー散乱式微粒子計で連続的に測定し、洗浄液中の微粒子数(好ましくは粒径0.1μm以上の微粒子数)が所定値を越えると洗浄を中止し、微粒子数が所定値以下になるまで洗浄槽の循環ろ過を行ない、その後洗浄を再開することを特徴とする、半導体基板の洗浄方法、及びそれに用いられる装置。【効果】 洗浄液中の微粒子の粒径分布、およびその個数を管理制御することにより、洗浄後の基板表面の微粒子個数を常に一定の範囲内に再現性良く保つことができる。また、洗浄液の交換の判断を実際の液中微粒子個数をもって行なうため、薬品の使用量の最適化が達成され、コストの削減も図ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板を洗浄するに際し、洗浄槽から抜き出した洗浄液中の微粒子数をレーザー散乱式微粒子計で連続的に測定し、洗浄液中の微粒子数が所定値を越えると洗浄を中止し、微粒子数が所定値以下になるまで洗浄槽の循環ろ過を行ない、その後洗浄を再開することを特徴とする、半導体基板の洗浄方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
