特許

J-GLOBAL ID：200903043007585914

酸化アルミニウム付着方法および付着装置

発明者： スティーヴン・ジョージ・バービー ,  ジョナサン・ダニエル・チャップル=ソコル ,  リチャード・アンソニー・コンティ ,  リチャード・シャオ ,  ジェームス・アンソニー・オネイル ,  ナラヤーナ・ヴィー・サルマ ,  ドナルド・レズリー・ウィルソン ,  ジャスティン・ワイ=チョウ・ウォン ,  スティーヴン・ポール・ズホスキ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-252561
公開番号（公開出願番号）：特開平8-188878
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：

【要約】【課題】 大量生産環境での、アルミニウムトリイソプロポキシド(ATI)を使用したシリコン・ウェーハ上へのAl2O3 CVDの方法および装置を提供する。【解決の手段】 生産環境でATIを使用し、ATIを最高に利用するための条件は、直接蒸発によりATIを供給することである。IR分光分析または質量分析によるプロペンおよびイソプロパノールの信号が酸化アルミニウムの付着開始前の圧力の1%未満になるまで、ATI供給源ボトルを(基板をバイパスして)ポンプで排出し、純粋なATIを供給する。また、運転前に供給された四量体の原料物質を120°Cで2時間加熱し、確実に三量体への変換を完了させる。ATIは90°Cで保存することにより、休止期間の分解を最少にし、120°Cで2時間加熱することにより、三量体の回復ができる。ATIを120°Cで処理することにより、要求期間中の分解を最少にすることができる。

請求項（抜粋）：

a)ガスを処理チェンバ内に噴射するための少なくとも1個のガス噴射ノズルと、基板をのせるための加熱サセプタと、温度制御可能な壁面とを有する低圧真空処理チェンバを設ける工程と、b)上記処理チェンバに連結され、予備混合チェンバを有し、アルミニウムトリイソプロポキシド(ATI)源から低蒸気圧ガスを制御可能に発生させる化学蒸気発生装置を設ける工程と、c)上記ATI源を、ATIの直接蒸発により、上記化学蒸気発生装置を介して上記低蒸気圧ガスの流れが生じるのに十分な温度に加熱する工程と、d)所期の純度の上記低蒸気圧ガスが検知されるまでATI源を、上記処理チェンバを回避して、ポンプで排出する工程と、e)上記の所期の純度が検知された時点で、上記化学蒸気発生装置から上記処理チェンバへの低蒸気圧ガスの流れを、所定の流速に制御する工程と、f)上記処理チェンバと上記化学蒸気発生装置内の処理圧力を所定の圧力に維持する工程と、g)上記予備混合チェンバ中の上記低蒸気圧ガスの流れに、質量流量制御され予熱された不活性ガスを混合して、混合ガスを生成させる工程と、h)上記混合ガス中の上記低蒸気圧ガスが上記基板上で反応して酸化アルミニウムを生成するように、上記混合ガスを上記処理チェンバに射出する工程とを含む、基板に高密度の酸化アルミニウムを付着させる方法。

IPC (5件)：

C23C 16/52 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316