特許
J-GLOBAL ID：200903043008066660
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-117024
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053521
出願日： 1983年02月25日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】 集積度が高く、しかも信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置を提供する。【構成】 P型のシリコン基板21に形成されたN+ 型のソース領域23、ドレイン領域24及びコントロール用拡散領域26と、極薄酸化膜27,28を介して形成されたフローティングゲート29とからなり、フローティングゲート29への電子の注入はコントロール用拡散領域26にドレイン領域24よりも高い電位を印加して極薄酸化膜27にトンネル電流を流すことにより行い、フローティングゲート29からの電子の放出はコントロール用拡散領域26にドレイン領域24よりも低い電位を印加して極薄酸化膜27にトンネル電流を流すことにより行うという動作原理のメモリセルを有する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体領域の表面に間隔をあけて形成された第2導電型のソース領域、ドレイン領域及びコントロール用拡散領域と、一部が前記ソース領域と前記ドレイン領域との間のチャネル領域上に第1の絶縁膜を介して、他の一部が前記コントロール用拡散領域上に前記第1の絶縁膜と同一の膜厚の第2の絶縁膜を介して形成されたフローティングゲートとからなり、前記フローティングゲートへの電子の注入は前記コントロール用拡散領域に前記ドレイン領域よりも高い電位を印加して前記第1の絶縁膜にトンネル電流を流すことにより行い、前記フローティングゲートからの電子の放出は前記コントロール用拡散領域に前記ドレイン領域よりも低い電位を印加して前記第1の絶縁膜にトンネル電流を流すことにより行うことを特徴とするメモリセルを具備する不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
