特許
J-GLOBAL ID：200903043011832330
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-040522
公開番号（公開出願番号）：特開平6-296020
出願日： 1994年02月15日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【目的】 実質的にアモルファス状態のシリコン膜を通常のアモルファスシリコンの結晶化温度より低い温度、もしくは基板のガラス転移点より低い温度でのアニールによって結晶化させ、薄膜トランジスタ等の半導体素子を作製する方法を提供する。【構成】 アモルファスシリコン膜の上もしく下に選択的に島状、線状、ストライプ状、ドット状のニッケル、鉄、コバルト、白金もしくはそれらの珪化物、各種塩等を有する被膜、粒子、クラスター等を形成し、通常のアモルファスシリコンの結晶化温度より低い温度、もしくは基板のガラス転移点より低い温度でアニールすることによって、これを出発点として結晶化を進展させ、結晶シリコン膜を得る。さらに、この結晶シリコン膜を用いて薄膜トランジスタ等の半導体素子を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に選択的にニッケル、鉄、コバルト、白金、パラジウムの少なくとも1つを含有する物体を形成する第1の工程と、前記工程後、実質的にアモルファス状態のシリコン膜を形成する第2の工程と、第2の工程の後に基板をアニールする第3の工程と、前記シリコン膜を島状にパターニングする第4の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/784
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 21/268
, H01L 21/324
