特許

J-GLOBAL ID：200903043012435173

スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法

発明者： 木田 音次郎 ,  光井 彰 ,  鈴木 陽子
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
代理人 (1件)： 泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-184529
公開番号（公開出願番号）：特開平7-011433
出願日： 1993年06月29日
公開日（公表日）： 1995年01月13日
要約：

【要約】【構成】金属基体上に、ZnOを主成分とし、Ga2 O3 を1〜10%含有する粉末を、プラズマ溶射することにより形成するスパッタリング用ターゲット。【効果】高い耐熱性を有する透明導電膜が容易に得られ、使用中の黒化がほとんどなく長時間使用しても膜の比抵抗の増加などの経時変化が少なく、安定して成膜できる。

請求項（抜粋）：

金属基体上に、ZnOを主成分とし、Ga2 O3 を1〜10%含有する粉末を、プラズマ溶射することにより形成することを特徴とするスパッタリング用ターゲット。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  C23C 4/10