特許
J-GLOBAL ID：200903043013667647
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1998000892
公開番号（公開出願番号）：WO1998-039802
出願日： 1998年03月04日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】本願発明の半導体集積回路装置の製造方法は、触媒作用によって水素と酸素とから生成させた水を低濃度に含む酸化種を半導体ウエハの主面またはその近傍に供給し、酸化膜形成の再現性および酸化膜厚の均一性が確保され得る程度の酸化膜成長速度で半導体ウエハの主面に、MOSトランジスタのゲート絶縁膜となるべき膜厚5nm以下の薄い酸化膜を形成する。
請求項（抜粋）：
以下の工程よりなる半導体集積回路装置の製造方法;(a)摂氏500度以下で触媒を用いて酸素と水素から水分を合成する工程、(b)雰囲気全体の気圧に占める合成された上記水分の分圧の割合が0.5%から5%の範囲であって、水素が支配的でない酸化性雰囲気中で、かつウエハ上のシリコン表面が摂氏800度以上に加熱された条件下で上記シリコン表面に電界効果トランジスタのゲート絶縁膜となるべきシリコン酸化膜を熱酸化により形成する工程。
IPC (4件)：
H01L 21/336
, H01L 29/78
, H01L 21/316
, H01L 21/8247
