特許

J-GLOBAL ID：200903043014504202

不揮発性半導体記憶装置とその製造方法

発明者： 後藤 康 ,  組橋 孝生 ,  関口 知紀 ,  三木 浩史 ,  庄司 健一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-182185
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027856
出願日： 1996年07月11日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【課題】 電源電圧が5V以下でも不揮発メモリ動作可能なMFMIS構造の不揮発性半導体記憶装置を得る。【解決手段】 上部電極109と強誘電体膜108と下部電極107からなる強誘電体キャパシタをパターニングした後、キャパシタ側壁に保護膜110を形成してから浮遊ゲート電極106を加工する。強誘電体キャパシタの側壁保護膜110の厚さを調整することにより、強誘電体膜と上部電極および下部電極の接する面積を浮遊ゲート電極面積よりも小さく形成する。強誘電体キャパシタ容量が、浮遊ゲート電極とゲート絶縁膜102とSi基板101からなるゲート絶縁膜キャパシタの容量よりも小さくなるため、5V以下の低い電圧でも強誘電体膜に充分な反転電圧を印加でき、不揮発メモリ動作が可能となる。

請求項（抜粋）：

電界効果トランジスタのゲート電極に接続する強誘電体キャパシタを備え、該強誘電体キャパシタを構成する強誘電体膜の自発分極を利用して情報を記憶する不揮発性半導体記憶装置において、前記強誘電体キャパシタの容量が前記電界効果トランジスタのゲート絶縁膜で構成されるゲート絶縁膜キャパシタの容量の2倍を越えないことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (7件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 Z ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 651