半導体デバイス並びにそのダイボンド装置及びダイボンド方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-000407
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203865
出願日： 2001年01月05日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】本発明は、環境への配慮からPbを含有する接合材を用いないことに加えて、その他の接合材をも一切使用しない、又は、使用したとしても極少量の使用に限定された安価な接合材レスの半導体デバイス並びにそのダイボンド装置及びダイボンド方法を提供することにある。【解決手段】ダイ1とダイパッド2との対向面1a、2aを固定してなる半導体デバイスにおいて、対向面1a、2aの少なくとも一部に中空部3を設けて、3中空部の内圧を外圧より低く保持してダイ1とダイパッド2とを固定したものである。

請求項（抜粋）：

ダイとダイパッドとの対向面を固定してなる半導体デバイスにおいて、前記対向面の少なくとも一部に中空部を設けて、該中空部の内圧を外圧より低く保持して前記ダイとダイパッドとを固定したことを特徴とする半導体デバイス。

FI (2件)：

H01L 21/52 C , H01L 21/52 F

Fターム (6件)：

5F047AA11 , 5F047AA13 , 5F047BA00 , 5F047FA01 , 5F047FA21 , 5F047FA31

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