特許
J-GLOBAL ID:200903043018383710

回折格子の製造方法及びそれを用いて製造した半導体レーザならびにそれを用いた光応用システム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-108572
公開番号(公開出願番号):特開平10-303175
出願日: 1997年04月25日
公開日(公表日): 1998年11月13日
要約:
【要約】【課題】量産性・再現性に優れた位相シフト型回折格子の製造方法を提供する。【解決手段】半導体結晶表面にパターン反転に利用する材料を成膜し、上記表面にレーザ光を用いた干渉露光法を用いて周期的なホトレジストパターンを形成しこれを加工する。この所定の領域に樹脂を埋め込み、エッチバックにより樹脂層からなる反転パターンを形成し、上記樹脂層からなる反転パターンと上記パターン反転に利用する材料からなるパターンにより結晶表面に位相の反転した連続性のある回折格子を製造する方法。
請求項(抜粋):
半導体結晶表面にパターン反転に利用する材料を成膜する工程と上記表面にレーザ光を用いた干渉露光法を用いて周期的なホトレジストパターンを形成する工程と、上記ホトレジストパターンをマスクに用いて上記パターン反転に利用する材料を加工する工程と、この所定の領域に樹脂を埋め込み、エッチバックにより樹脂層からなる反転パターンを形成する工程と、上記樹脂層に接するパターン反転に利用する材料からなるパターンを除去する工程と、上記樹脂層からなる反転パターンと上記パターン反転に利用する材料からなるパターンにより結晶表面に位相の反転した連続性のある回折格子を形成する工程とを有することを特徴とした回折格子の製造方法。
IPC (3件):
H01L 21/306 ,  G02B 5/18 ,  H01S 3/18
FI (3件):
H01L 21/306 B ,  G02B 5/18 ,  H01S 3/18

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