特許
J-GLOBAL ID：200903043020222669
半導体発光素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-338443
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178201
出願日： 1996年12月18日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：
【要約】【課題】 サファイア基板を用いた従来のGaN系半導体発光素子が有する小発光面積や劈開による共振器面作製不可などの問題が解決されたGaN系半導体発光素子の製造方法を提供することにある。【解決手段】 サファイアなどの種基板の上にInX GaY AlZ Nからなる発光部を積層し、その上にInX GaY AlZ Nからなる基板用層を形成し、その後に種基板を除去して上記の基板用層を基板とする半導体発光素子を得る製造方法。【効果】 GaN系基板を有する青色のLED、LDを製造し得る。基板が導電性であるので、その上下面側にp、n両電極を形成することができ、高輝度のLED、LDが得られる。またGaN系基板の劈開性を利用して高性能のLDを容易に製造することもできる。
請求項（抜粋）：
種基板の上にInX GaY AlZ N(ここに0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1、X+Y+Z=1)からなる発光部が積層される発光部積層工程、発光部の上にInX GaY AlZ N(ここに0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1、X+Y+Z=1)からなる基板用層を形成する基板積層工程、および種基板を除去する種基板除去工程とからなることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, C30B 35/00
, H01S 3/18
H01L 33/00 C
, C30B 35/00
, H01S 3/18
