特許

J-GLOBAL ID：200903043021638508

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 田中 義幸 ,  田中 智晴 ,  百冨 正樹 ,  伊藤 寧夫 ,  岩田 佳久
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-264582
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109292
出願日： 1991年10月14日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】製造歩留まり向上を図ったNANDセル型EEPROMを提供することを目的とする。【構成】NANDセル型EEPROMにおいて、NANDセルブロック単位で不良を救済する冗長回路を備えたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板に電荷蓄積層と制御ゲートが積層形成され、電荷蓄積層と基板間の電荷授受により電気的書換えを可能としたメモリセルが複数個ずつ直列接続されてNANDセルを構成してマトリクス配列されたセルアレイを有し、NANDセルブロック単位で置き換えを行なう冗長回路を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  G11C 29/00 301

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-210697
  
• 特開平2-276098
  
• 特開平3-088200