特許

J-GLOBAL ID：200903043022935271

窒化シリコンパツシベーシヨン膜形成方法

発明者： 松本 信之 ,  塚尾 俊哉
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-260310
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102137
出願日： 1991年10月08日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 低い温度で緻密な窒化シリコン膜を半導体装置の表面に形成することにより、安定なパッシベーション膜を提供する。【構成】 低温でプラズマCVD法により半導体装置の表面に堆積した窒化シリコン膜に、波長180〜200nmの遠紫外光を照射することにより、表面が緻密な窒化シリコン膜に改質されることを見いだした。これを利用して半導体装置の表面に窒化シリコン膜を堆積した後で、表面近傍だけを緻密な窒化シリコン膜に変えることを特徴としているので、低温プロセスの適用が可能となり、半導体装置の特性を損なう事なく安定な窒化シリコン膜がパッシベーション膜として適用出来る。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された窒化シリコン膜に波長180〜200nmの遠紫外光を含む光を照射し、表面を硬化させることを特徴とする窒化シリコンパッシベーション膜形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/31 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-052432
  
• 特開平1-251723
  
• 特開平3-159991
  
• 特開昭60-130126