特許
J-GLOBAL ID：200903043024286254
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-266496
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109881
出願日： 1991年10月15日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法の工程の簡略化を図る。【構成】 絶縁膜2の上に形成された第2シリコン基板3の主面に、素子分離用の分離溝11を形成する。分離溝11の内壁面に絶縁被膜12を形成する。多結晶シリコン13を分離溝11に充填するとともにシリコン基板3の表面に堆積する。シリコン基板3の表面に堆積された多結晶シリコン13を酸化することにより、シリコン基板3の表面にフィールド酸化膜用の酸化膜14を形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板に素子分離用の分離溝を形成する工程と、該分離溝の内壁面に絶縁被膜を形成する工程と、多結晶シリコンを該分離溝に充填するとともに該シリコン基板の表面に堆積する工程と、該シリコン基板の表面に堆積された多結晶シリコンを酸化することにより、該シリコン基板の表面にフィールド酸化膜用の酸化膜を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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