特許

J-GLOBAL ID：200903043026167244

半導体装置並びにこれに用いる接続用基板及びその製造方法

発明者： 堀内 道夫 ,  風間 拓也
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-314723
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150701
出願日： 1998年11月05日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子の電極端子形成面の平面領域内に効率的に外部接続端子を高密度に配列可能とする。【解決手段】 平板状の絶縁基板22の一方の面に、半導体素子10の電極端子形成面に設けられた電極あるいは電極端子形成面を再配線して設けた端子14と対応する配置で、絶縁基板22の他方の面に設けられる外部接続端子26よりも小径に形成されたはんだバンプ24が、前記一方の面から端部を突出して形成され、絶縁基板の他方の面に、絶縁基板を厚さ方向に貫通して形成されたビア28を介して前記はんだバンプ24と電気的に接続する外部接続端子26が設けられた接続用基板20に、半導体素子の電極端子形成面に形成された前記電極あるいは前記端子を、前記はんだバンプに接合して半導体素子を搭載する。

請求項（抜粋）：

平板状の絶縁基板の一方の面に、半導体素子の電極端子形成面に設けられた電極あるいは電極端子形成面を再配線して設けた端子と対応する配置で、絶縁基板の他方の面に設けられる外部接続端子よりも小径に形成されたはんだバンプが、前記一方の面から端部を突出して形成され、絶縁基板の他方の面に、絶縁基板を厚さ方向に貫通して形成されたビアを介して前記はんだバンプと電気的に接続する外部接続端子が設けられた接続用基板に、半導体素子の電極端子形成面に形成された前記電極あるいは前記端子を、前記はんだバンプに接合して半導体素子を搭載したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/15 ,  H01L 23/32

FI (4件)：

H01L 23/12 F ,  H01L 23/32 D ,  H01L 23/12 L ,  H01L 23/14 C