特許
J-GLOBAL ID：200903043026292880
コリメーションスパッタ装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-145269
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316147
出願日： 1995年05月18日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 単一の装置を高アスペクト比コンタクトへの成膜、及び通常の高デポジションレートの成膜にも共用でき、かつコリメータの長寿命化を可能にする。【構成】 真空又は減圧下のスパッタチャンバー2内でターゲット8から放射される薄膜加工用原材料をコリメーター14を通して半導体ウエハ10にスパッタするコリメーションスパッタ装置において、スパッタチャンバー2に退避チャンバー4を設け、コリメーター14をターゲット8と半導体ウエハ10との間の箇所と、退避チャンバー4内の収納位置とに亘って移動可能に配置し、さらにコリメーター14を移動させる流体圧シリンダ18を設ける。また、コリメーター14の前段と退避チャンバー4内の収納位置とに亘って移動可能にシャッター16を配置し、このシヤッター16を移動させる流体圧シリンダ20を設けたものである。
請求項（抜粋）：
真空又は減圧下のスパッタチャンバー内でターゲットから放射される薄膜加工用原材料をコリメーターを通して半導体ウエハにスパッタするコリメーションスパッタ装置において、前記スパッタチャンバーに退避チャンバーを設け、前記コリメーターを前記ターゲットと半導体ウエハとの間の箇所と、前記退避チャンバー内の収納位置とに亘って移動可能に配置し、さらに前記コリメーターを移動させる駆動手段を設けた、ことを特徴とするコリメーションスパッタ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/203 S
, C23C 14/34 G
