特許

J-GLOBAL ID：200903043032555370

導波路型フォトダイオード及びその製造方法

発明者： 石井 宏明
出願人/特許権者： 日本航空電子工業株式会社
代理人 (1件)： 草野 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-107484
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307805
出願日： 1998年04月17日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】 導波路型フォトダイオードの光電変換効率を改善し、更に製造が容易な構造を提案する。【解決手段】 絶縁性基板に凹溝20を形成し、この凹溝の内部に一方の導電形式の光導波層2と、光吸収層3,クラッド層4,コンタクト層5を順に製膜すると共に、これら多層膜の一部に他方の導電形式の拡散領域を形成し、この拡散領域と元の導電形式の多層膜の表面に電極を被着形成し、これらの電極から光電変換された電流を取り出す構造とした。

請求項（抜粋）：

A.凹溝が形成された絶縁性基板と、B.この絶縁性基板に形成された凹溝内に一方の導電形式を採る光導波層、光吸収層、光導波層、クラッド層、コンタクト層を順に成長形成した多層膜と、C.上記多層膜の一部に拡散形成され、他方の導電形式を採る拡散領域と、D.上記多層膜及び上記絶縁性基板の上面に形成され、上記拡散領域の一部を露出させる窓と、上記拡散領域が形成されない上記多層膜の表面を露出させる窓とを具備した絶縁膜と、E.この絶縁膜に形成された窓を通じて上記拡散領域に電気的に接続された電極と、上記拡散領域が形成されない上記多層膜の表面に電気的に接続された電極と、を具備して構成したことを特徴とする導波路型フォトダイオード。