特許

J-GLOBAL ID：200903043035275866

リファレンス電圧回路

発明者： 井上 靖秋 ,  潘 俊
出願人/特許権者： 学校法人早稲田大学
代理人 (2件)： 石田 和人 ,  山口 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-039222
公開番号（公開出願番号）：特開2008-204148
出願日： 2007年02月20日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：

【課題】1V以下の電源電圧で使用可能で、低消費電力且つ温度安定性の高いリファレンス電圧回路の提供。【解決手段】弱反転領域で作動する2個のFET(M1,M2)と、各FETに電流バイアスを与える電流バイアス回路(M3,M4等)と、FET(M1)のソース-バックゲート間接合を逆方向バイアスとし、FET(M2)のソース-バックゲート間接合を零バイアスとし、FET(M1)のゲート-ソース間電圧とFET(M2)のゲート-ソース間電圧との差電圧をリファレンス電圧Vrefとして出力する。これにより、FET(M1,M2)のゲート-ソース間電圧の温度曲線を素子のサイズの調整によって等しくできる。そして、両FET(M1,M2)のゲート-ソース間電圧の差電圧が一定となるためこれをVrefとして出力すれば温度依存性のない微小なリファレンス電圧を得ることが可能となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

弱反転領域で作動する少なくとも2個の電界効果トランジスタ(以下「FET」という。)と、 前記各FETに電流バイアスを与える電流バイアス回路と、 前記各FETのうち、一のFET(以下「特定FET」という。)のソース-バックゲート間接合を逆方向バイアスとし、 他のFETのソース-バックゲート間接合を前記特定FETの逆方向バイアスよりも浅い逆方向バイアス又は零バイアス若しくは順方向バイアスとし、 前記特定FETのゲート-ソース間電圧と他の何れかのFETのゲート-ソース間電圧との差電圧をリファレンス電圧として出力することを特徴とするリファレンス電圧回路。

IPC (4件)：

G05F 3/24 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  G05F 3/26

FI (3件)：

G05F3/24 Z ,  H01L27/04 B ,  G05F3/26

Fターム (17件)：

5F038BB02 ,  5F038BB04 ,  5F038BB08 ,  5F038CD04 ,  5F038EZ20 ,  5H420NA13 ,  5H420NA16 ,  5H420NA27 ,  5H420NB02 ,  5H420NB22 ,  5H420NB25 ,  5H420NC03 ,  5H420NC16 ,  5H420NC18 ,  5H420NC26 ,  5H420NE23 ,  5H420NE28