特許
J-GLOBAL ID：200903043041404660
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-265144
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101198
出願日： 1998年09月18日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザ装置において、COMD現象を抑制し、出力および信頼性を高める。【解決の手段】 GaAs基板1上に、InGaAsP系の圧縮歪を有する活性層5と、InGaAsP系の2つの光導波層3および7、および2つの光導波層よりバンドギャップの大きいGaAsP系の2つの引っ張り歪を有する障壁層4および6を設け、圧縮歪と引っ張り歪は互いに完全に補償されるかあるいはやや引っ張り歪が大きい程度とする。さらに窓構造部の端面及びその近傍にBあるいはNのイオン注入とその後の加熱により無秩序化した窓構造部16を設ける。
請求項（抜粋）：
半導体レーザ装置を構成する光共振器が、III-V族化合物半導体の、圧縮歪を有する活性層と、該活性層を間にはさむ引っ張り歪を有する2つの障壁層と、前記活性層と前記2つの障壁層とを外側からはさむ2つの光導波層を有し、前記2つの障壁層は前記2つの光導波層よりバンドギャップが大きい半導体からなり、前記活性層端面及び該端面近傍に、BとNの少なくともいずれか一方のイオン注入とその後の加熱工程により形成された、前記活性層内部よりバンドギャップの大きい領域を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18 677
, H01L 21/265 601 J
5F073AA09
, 5F073AA13
, 5F073AA22
, 5F073AA45
, 5F073AA73
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073AA86
, 5F073CA12
, 5F073CA13
, 5F073DA14
, 5F073EA28
