特許
J-GLOBAL ID：200903043043242063
不揮発性半導体メモリ装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-033238
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252410
出願日： 1993年02月23日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 プロセス工程を増大させることなく、メモリセルサイズを小さくすることが可能であり、特にNAND型E2 PROMに適用して好適な不揮発性半導体メモリ装置の製造方法を提供すること。【構成】 所定のパターンの透過光位相反転部分32を有する位相シフタ付きフォトマスク30を用いて露光を行い、透過光位相反転部分32とその他の部分との境界部に相当する微細パターンで、レジスト膜34を加工し、そのレジスト膜34を用いて、薄膜層を加工し、微細間隔のゲート電極12を形成する。ゲート電極12により形成されるMOS型メモリセル14は、たとえば複数のメモリセル毎に直列に接続されるNAND型メモリセルである。MOS型メモリセル14は、フローティングゲート8を有するE2 PROM用メモリセルで構成されても良い。
請求項（抜粋）：
所定のパターンの透過光位相反転部分を有する位相シフタ付きフォトマスクを用いて露光を行い、透過光位相反転部分とその他の部分との境界部に相当する微細パターンで、薄膜層を加工し、微細間隔のゲート電極を形成することを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, G03F 1/08
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
出願人引用 (3件)
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特開平4-218046
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特開平1-282873
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特開平2-022865
審査官引用 (6件)
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