特許
J-GLOBAL ID：200903043050135205
トレンチゲートを有するパワーMOSトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 和年
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-276129
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102572
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】 ゲート耐圧が良好なトレンチゲートを有するパワーMOSトランジスタを提供する。【解決手段】 ゲート電極配線層18をゲートバスラインに引き出す周端部のパワーMOSトランジスタにおいて、前記ゲート電極配線層18を形成するトレンチ16aをフィールド絶縁膜14に接するように形成してゲート絶縁膜17が前記フィールド絶縁膜14と連続するようにしている。
請求項（抜粋）：
ゲート電極配線層をゲートバスラインに引き出す周端部のトレンチをフィールド絶縁膜に接するように形成することを特徴とするトレンチゲートを有するパワーMOSトランジスタ。
FI (3件)：
H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 652 N
, H01L 29/78 653 C
