特許
J-GLOBAL ID：200903043056759472
半導体レ-ザ基板の劈開方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-096641
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274653
出願日： 1998年03月25日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 半導体レ-ザ基板を劈開分離する際、良好な生産性を有し、高い歩留りを有する半導体レ-ザ基板の劈開方法を提供する。【解決手段】 少なくとも、活性層3を含む半導体レ-ザ基板1の一端1aから他端1b方向に向かって形成された複数のスクライブ傷61 、62 、...、6n から生じる劈開溝に沿って劈開分離して、複数の半導体レ-ザバ-7を作製し、また、各半導体レ-ザバ-7を前記劈開溝方向と異なる方向に複数分割して、各半導体レ-ザ素子9を形成する半導体レ-ザ基板1の劈開方法であって、スクライブ傷61 、62 、...、6n を活性層と略直交方向に大から小なる長さl1 、l2、...、ln に順次形成し、この大から小なる長さl1 、l2 、...、ln に形成されたスクライブ傷61 、62 、...、6n の方向に向かって半導体レ-ザ基板1を順次劈開する。
請求項（抜粋）：
少なくとも、活性層を含む半導体レ-ザ基板の端部に形成された複数のスクライブ傷から生じる劈開溝に沿って劈開分離して、複数の半導体レ-ザバ-を作製し、また、各半導体レ-ザバ-を前記劈開溝方向と異なる方向に複数分割して、各半導体レ-ザ素子を形成する半導体レ-ザ基板の劈開方法であって、前記スクライブ傷を前記活性層と略直交する方向に大から小なる長さに順次形成し、この大から小なる長さに形成された前記スクライブ傷方向に向かって、前記半導体レ-ザ基板の劈開を順次行うことを特徴とする半導体レ-ザ基板の劈開方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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