特許
J-GLOBAL ID：200903043056934657
薄板状基板の真空吸着方法及びその真空吸着テーブル装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-284503
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135316
出願日： 1996年10月28日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハのような薄板状基板の外周部の縁だれや盛り上がりを無くし、薄板状基板を高精度で真空吸着できる真空吸着テーブル装置を得ること。【構成】 本発明の真空吸引テーブル装置1Aは、多孔質体の真空吸引部21を中央部に埋設したステージ22の外周部23に円環状溝24を形成し、この円環状溝24に、給水パイプ25を通じて給水タンク31から純水を供給しながら、ステージ22に載置した半導体ウエーハSを真空吸引部21で吸引し、吸着、保持し、半導体ウエーハSの外周部を円環状溝24から溢れ出る純水でシールし、半導体ウエーハSと真空吸引部21と間に加工液Eなどが流入することを防止し、半導体ウエーハSを高精密で真空吸着できるように構成されている。
請求項（抜粋）：
被加工物である薄板状基板の被加工面を加工液を用いて加工する場合に前記薄板状基板の非加工面を真空吸引して真空吸着テーブルのステージの平面上で保持する真空吸着方法において、前記薄板状基板の非加工面側の外周部とその下方の前記ステージの平面との間隙を液体を用いてシールし、前記加工液が前記間隙から前記薄板状基板の内方に流入することを防止することを特徴とする薄板状基板の真空吸着方法。
IPC (3件)：
H01L 21/68
, B23Q 3/08
, H01L 21/304 321
H01L 21/68 P
, B23Q 3/08 A
, H01L 21/304 321 H
