特許

J-GLOBAL ID：200903043060584270

有機半導体装置

発明者： 小山 智子 ,  金子 丈夫 ,  小口 宣雄 ,  上川 武冨 ,  原田 篤
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-340671
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142692
出願日： 2001年11月06日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】 有機半導体層を用いた新規な有機半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の有機半導体装置100は、基板10に設けられた凹部20に配置された有機半導体層80と、ドレイン電極30およびソース電極50と、有機半導体層80に対してゲート絶縁層60を介して配置されたゲート電極40と、を含む。

請求項（抜粋）：

基板に設けられた凹部に配置された有機半導体層と、ドレイン電極およびソース電極と、前記有機半導体層に対してゲート絶縁層を介して配置されたゲート電極と、を含む、有機半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/00

FI (6件)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 616 T ,  H01L 29/78 617 N ,  H01L 29/78 626 C

Fターム (20件)：

5F110AA16 ,  5F110CC09 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD21 ,  5F110DD30 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE29 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK07 ,  5F110HK33

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-180085   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-352273   出願人：シャープ株式会社
• 装置、有機トランジスタ及び能動有機デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-138784   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-303217   出願人：株式会社リコー