特許

J-GLOBAL ID：200903043062184937

薄膜形成方法

発明者： 高木 小枝 ,  三宮 仁
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 中村 恒久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-120410
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313125
出願日： 1997年05月12日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】 薄膜太陽電池の変換効率の向上を目指して高品質かつ結晶性の良好な薄膜を形成する。【解決手段】 プラズマCVD法を用い、VHF帯の高高周波電力を印加しながらパルス放電を行って基板上に結晶性Si薄膜を形成する。電源周波数を27.12MHz〜81.36MHzとすることにより、RF帯の電源周波数を使用するよりも暗導電率が増加し、また連続放電よりもパルス放電することにより、暗導電率が増加する。

請求項（抜粋）：

プラズマCVD法を用いた薄膜の形成方法であって、VHF帯の高高周波電力を印加しながらパルス放電を行って基板上に結晶性薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 31/04 X ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205