酸化ガリウム単結晶基板及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：佐々木一也 , 成瀬勝夫 , 中村智廣 , 鳥野正司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-264892
公開番号（公開出願番号）：特開2009-091212
出願日： 2007年10月10日
公開日（公表日）： 2009年04月30日
要約：

【課題】平坦化及び表面浄化がなされて半導体膜を成長させるのに適した酸化ガリウム単結晶基板、及びその製造方法を提供する。【解決手段】表面粗さRqが1.0〜2.0Åであり、かつ、表面粗さRaが0.5〜1.0Åである酸化ガリウム単結晶基板、及び、酸化ガリウム単結晶の(100)面を研磨して薄型化するラッピング加工、平滑に研磨するポリッシング加工、及び化学機械研磨を行った後、洗浄溶媒中に浸漬させてマイクロ波を照射する酸化ガリウム単結晶基板の製造方法。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

表面粗さRqが1.0〜2.0Åであり、かつ、表面粗さRaが0.5〜1.0Åであることを特徴とする酸化ガリウム単結晶基板。

IPC (5件)：

C30B 29/16 , C30B 33/10 , B24B 1/00 , H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (5件)：

C30B29/16 , C30B33/10 , B24B1/00 B , H01L33/00 C , H01S5/323 610

Fターム (25件)：

3C049AA07 , 3C049AA09 , 3C049AA12 , 3C049CA05 , 3C049CB01 , 3C049CB10 , 4G077AA02 , 4G077BB10 , 4G077CE03 , 4G077FG07 , 4G077FG12 , 4G077FG16 , 4G077FH05 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 5F041AA31 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA77 , 5F173AH22 , 5F173AH49 , 5F173AQ04 , 5F173AQ10 , 5F173AR99

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第3015261号公報

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