特許

J-GLOBAL ID：200903043067634612

レーザーアブレーション法による結晶薄膜の形成方法

発明者： 中村 直樹 ,  長谷川 弘 ,  英 貢
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-186258
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032166
出願日： 1996年07月16日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】 溶融再結晶化によりクラック等の欠陥を発生させずに膜厚全体にわたって均一に再結晶化でき、大粒径の結晶薄膜を形成することができるレーザーアブレーション法による結晶薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】 ターゲットにレーザー光を照射し、該照射による該ターゲットからの放出物を基板上に堆積させる段階と、その後に該堆積による堆積層にレーザー光を照射して溶融再結晶化する段階とから成る堆積・再結晶化サイクルを複数回行うことによって所定膜厚の結晶薄膜を形成するか、または上記堆積・再結晶化サイクルを少なくとも1回行った後に、上記堆積させる段階のみを行って上記溶融再結晶化による結晶層上にエピタキシャル成長させることによって所定膜厚の結晶薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

ターゲットにレーザー光を照射し、該照射による該ターゲットからの放出物を基板上に堆積させる段階と、その後に該堆積による堆積層にレーザー光を照射して溶融再結晶化する段階とから成る堆積・再結晶化サイクルを複数回行うことによって所定膜厚の結晶薄膜を形成することを特徴とするレーザーアブレーション法による結晶薄膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  C23C 14/28 ,  H01L 21/203

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  C23C 14/28 ,  H01L 21/203 Z