特許

J-GLOBAL ID：200903043071110229

CVD反応装置

発明者： 山口 太一 ,  青木 伸哉 ,  香川 昭 ,  河野 宰 ,  佐治 明 ,  黒田 昇 ,  吉田 弘
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ ,  中部電力株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-222269
公開番号（公開出願番号）：特開平5-044043
出願日： 1991年08月07日
公開日（公表日）： 1993年02月23日
要約：

【要約】【構成】 反応チャンバ22内に、原料ガスを化学反応せしめて基板32表面に生成物を堆積させる反応温度に基板32を加熱する反応領域25aを備えた反応部22aと、基板32が徐々に反応温度となるように基板32を漸次加熱する予熱領域25bを備えた予熱部22bと、反応温度に加熱された基板32を徐冷する徐冷領域25cを備えた徐冷部22cとに分け、かつ上記各部の雰囲気の混合を阻止する仕切板27を設け、かつ上記予熱部22bおよび徐冷部22c内に不活性ガスを送り込む不活性ガス送入装置29を備えた。【効果】 予熱部22b及び徐冷部22cは、仕切部材27,27で反応部22aの原料ガス雰囲気と遮蔽され、不活性ガス雰囲気となる。従って、CVD反応を行うのに不十分な加熱条件の予熱領域25a、徐冷領域25bでは、成膜は行われない。

請求項（抜粋）：

原料化合物ガス等の原料ガスを化学反応せしめて基体表面に生成物を堆積させるCVD反応を行う横長型の反応チャンバと、該反応チャンバ内に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、該反応チャンバ内のガスを排気するガス排気手段と、長尺の基体を該反応チャンバの長手方向に沿って一方側に移動させる基体移動手段と、該反応チャンバ内に配設された横長型の加熱手段とを備えたCVD反応装置であって、前記加熱手段は、上記原料ガスを化学反応せしめて上記基体表面に生成物を堆積させる反応温度に該基体を加熱する反応領域と、該反応領域の基体移動方向前方側に設けられ、上記基体が該反応領域に達するまでに該反応温度となるように該基体を漸次加熱する予熱領域と、該反応領域の基体移動方向後方側に設けられ、反応温度に加熱された該基体を徐冷する徐冷領域とを備えてなり、該反応チャンバ内に、上記反応領域両端部に近接する遮蔽手段を設け、該反応チャンバ内を反応部と予熱部と徐冷部とに分割し、かつ該予熱部及び該徐冷部内に不活性ガスを送り込む不活性ガス供給手段を設けたことを特徴とするCVD反応装置。

IPC (8件)：

C23C 16/54 ,  C23C 16/46 ,  C30B 25/14 ,  C30B 25/16 ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01L 21/31