特許
J-GLOBAL ID：200903043073076702
二次イオン質量分析方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-268463
公開番号（公開出願番号）：特開2002-071592
出願日： 2000年09月05日
公開日（公表日）： 2002年03月08日
要約：
【要約】【課題】一次イオンによる電荷の蓄積が発生せず、二次イオンの発生が容易で正確且つ高精度な元素分析が可能な二次イオン質量分析方法を提供する。【解決手段】一次イオンを固体試料に照射して、 試料から放出される二次イオンを用いて試料の元素分析を行う際に、 固体試料の分析領域に近接して導電性物質の埋め込まれた集電部を設けるとともに、分析領域と集電部に対して、空間的に連続した一つの一次イオンビームを同時に照射し、分析領域から放出される二次イオンにより元素分析を行う。
請求項（抜粋）：
一次イオンを固体試料に照射して、 試料から放出される二次イオンを質量に基づいて分離し、試料の元素分析を行う二次イオン質量分析方法において、 固体試料の分析領域に近接して導電性物質の埋め込まれた集電部を設け、前記した分析領域と集電部に対して空間的に連続した一つの一次イオンビームを同時に照射し、且つ前記した分析領域から放出される二次イオンを用いて試料の元素分析を行うことを特徴とする二次イオン質量分析方法。
Fターム (14件)：
2G001AA05
, 2G001BA06
, 2G001BA07
, 2G001CA03
, 2G001CA05
, 2G001EA04
, 2G001GA01
, 2G001GA02
, 2G001GA08
, 2G001GA10
, 2G001HA13
, 2G001JA02
, 2G001KA01
, 2G001RA08
