特許

J-GLOBAL ID：200903043076018703

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 大湯 静憲 ,  池田 良広 ,  岡崎 勉
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-108973
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299447
出願日： 1999年04月16日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】 高信頼度のMISFETを有する半導体集積回路装置を実現することのできる技術を提供する。【解決手段】 MISFETのチャネルの中央部におけるしきい値電圧制御層33,34のボロン濃度を、チャネルの端部におけるしきい値電圧制御層33,34のボロン濃度よりも高く設定する。

請求項（抜粋）：

MISトランジスタのチャネルの中央部におけるしきい値電圧制御層の不純物濃度が、前記チャネルの端部におけるしきい値電圧制御層の不純物濃度に比して相対的に高いことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 27/10 671 Z ,  H01L 21/265 V ,  H01L 21/265 F ,  H01L 29/78 301 H

Fターム (46件)：

5F040DA06 ,  5F040DB03 ,  5F040DB09 ,  5F040EA08 ,  5F040EC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EC13 ,  5F040EE05 ,  5F040EF02 ,  5F040EH03 ,  5F040EK05 ,  5F040FA07 ,  5F040FA16 ,  5F040FA18 ,  5F040FB02 ,  5F040FB04 ,  5F040FC11 ,  5F040FC13 ,  5F040FC21 ,  5F040FC22 ,  5F083AD01 ,  5F083AD10 ,  5F083AD42 ,  5F083AD48 ,  5F083GA05 ,  5F083GA21 ,  5F083GA27 ,  5F083GA30 ,  5F083JA06 ,  5F083JA32 ,  5F083JA35 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR29 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36 ,  5F083PR37 ,  5F083PR40 ,  5F083PR43 ,  5F083PR53 ,  5F083ZA12