固体撮像装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-130855
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342896
出願日： 1993年06月01日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】【目的】シェーディングおよび混色による色再現性劣化の発生を抑える。【構成】半導体基板1の面上に、酸化膜6と窒化膜7とを積層し、さらにシリコン窒化膜7上に薄い酸化膜8を形成した。ポリシリコン電極9を成長させ、その表面を覆うようにポリシリコン酸化膜10を形成した。層間膜11をポリシリコン酸化膜10および窒化膜7上に形成した。層間膜11上にAl遮光膜12を成膜し、その上に反射率がAl膜の20%以下で、膜厚25〜45nmのTiN反射防止膜14を形成した。Al遮光膜12とTiN反射防止膜14の、フォトダイオードのN-型拡散領域3上の部分には、透明穴埋め層15を設け、これらの上に保護膜13を形成した。透明穴埋め層15上に透明平坦化膜層16を形成し、透明平坦化膜層16上にカラーフィルター17を形成した。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成されたフォトダイオードと、前記フォトダイオードで形成された電荷を転送する電荷転送部と、前記フォトダイオード上を除く前記半導体基板上に形成された転送電極と、前記転送電極上に層間膜を介して形成された金属遮光膜を有し、前記金属遮光膜上に形成された高融点金属でなる窒化物と、前記窒化物上に保護膜を介してカラーフィルターを備えたことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (6件)：

H01L 27/14 , G09F 9/00 315 , H01L 21/205 , H01L 21/318 , H01L 31/10 , H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 D , H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-103166
特開平3-064968
特開昭60-261278

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