特許

J-GLOBAL ID：200903043085009652

化学的機械研磨法、化学的機械研磨法に用いる研磨剤および半導体装置の製造方法

発明者： 大橋 裕之 ,  加藤 剛
出願人/特許権者： 東芝サーキットテクノロジー株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-259512
公開番号（公開出願番号）：特開平10-106983
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 被ポリッシング膜に発生する“ディッシング”を抑制でき、平坦化後の表面に発生する凹凸をより軽減できる化学的機械研磨法を提供すること。【解決手段】 表面に凹凸を持つシリコン膜7を、機械的にポリッシングしながら化学的にエッチングする化学的機械研磨法であって、シリコン膜7の表面に、化学的なエッチングを阻止する有機物の被膜19を形成し、シリコン膜7の凸部に形成された被膜19を、機械的なポリッシングによって除去してシリコン膜7の凸部を露出させ、シリコン膜7の凹部を被膜19により保護しつつ、シリコン膜7の凸部を機械的にポリッシングおよび化学的にエッチングする。

請求項（抜粋）：

表面に凹凸を持つ被ポリッシング膜を、機械的にポリッシングしながら化学的にエッチングする化学的機械研磨法であって、前記被ポリッシング膜の表面に、化学的なエッチングを阻止する被膜を形成する工程と、前記被ポリッシング膜の凹部を前記被膜により保護しつつ、前記被ポリッシング膜の凸部に形成された前記被膜を機械的なポリッシングによって除去して前記被ポリッシング膜の凸部を露出させ、前記被ポリッシング膜の凸部を機械的にポリッシングおよび化学的にエッチングする工程とを具備することを特徴とする化学的機械研磨法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304

FI (2件)：

H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 S