特許

J-GLOBAL ID：200903043085605794

薄膜形成装置

発明者： 金子 典夫 ,  田 透 ,  小林 玉樹 ,  元井 泰子 ,  岸 文夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-215327
公開番号（公開出願番号）：特開平5-058777
出願日： 1991年08月27日
公開日（公表日）： 1993年03月09日
要約：

【要約】【目的】 各種特性の安定した薄膜を長期間にわたり形成する。【構成】 真空容器3内の基板5を保持するための基板ホルダ4は、モータ1の回転軸(出力軸)2に固着され、前記回転軸2の小径部に、環状の永久磁石6がその一方の磁極が外方へ向くように軸対称に固着されている。一方、前記永久磁石6の周囲に環状の超伝導体7が配置され、この超伝導体7は液体窒素シュラウド8により超伝導転移温度以下に冷却されている。前記モータ1により基板ホルダ4および基板5を回転させつつ、蒸発源13から蒸発物質を蒸発させて、前記基板5上に付着させる。前記回転の際、超伝導体7のマイスナー効果により、超伝導体7と永久磁石6は互いに反発し、回転軸2は非接触状態で回転する。

請求項（抜粋）：

基板を保持するための、真空容器内に設けられた基板ホルダが、モータの回転軸に一体的に設けられ、前記真空容器内が真空あるいは減圧状態において、前記モータにより前記基板を回転させつつ、蒸発源から薄膜材料を蒸発させ前記基板上に堆積させて薄膜を形成する薄膜形成装置において、前記回転軸に、磁石がその一方の磁極が外方へ向くように軸対称に一体的に設けられ、前記磁石の周囲に対向して超伝導体が配置され、該超伝導体は、超伝導体を超伝導転移温度以下に冷却するための冷却手段に取付けられ、前記超伝導体のマイスナー効果により前記回転軸を非接触状態で保持することを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (6件)：

C30B 23/08 ZAA ,  C23C 14/24 ,  C23C 14/50 ,  H01L 21/203 ,  H01L 39/00 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA