特許
J-GLOBAL ID:200903043085674567

蛍光体及び蛍光体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西村 教光
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-293934
公開番号(公開出願番号):特開平10-140150
出願日: 1996年11月06日
公開日(公表日): 1998年05月26日
要約:
【要約】【課題】硫化物系以外の高抵抗の蛍光体を導電物質を添加することなく低抵抗とし、低速電子線用として使用可能とする。【解決手段】Y20338.5g, Al2O318.3g, Ga2O322.5g,Tb4O73.3g をそれぞれ秤量し、エタノール中で分散後乾燥し、BaF2を0.3mol/YAG1mol添加して混合した。窒素雰囲気下、1500°Cで2時間焼成する。蛍光体Y3(Al0.6Ga0.4)5O12:Tb を得る。Tbの濃度は5mol%/Y1molである。同様にGaの固溶比を変えて種々の蛍光体を合成する。これら蛍光体を用いた蛍光表示管の発光輝度を評価する。Gaの固溶比を40%〜80%とすれば、酸素原子の一部が抜けて酸素欠陥が生じた蛍光体であるY3(Al1-xGax )5O12(1-y):Tb (但し、x=0.4 〜0.8 、y=5 ×10-7〜3 ×10-5) を得る。この蛍光体は抵抗が小さく、低速電子線用蛍光体として実用的な発光輝度を示す。
請求項(抜粋):
Ln3 (Al1-x Gax )5 O12(1-y) :Re(但し、Ln=Y,La,Gd、Re=Tb,Ce,Eu,Tm、x=0.4〜0.8、y=5×10-7〜3×10-5)で表される蛍光体。
IPC (2件):
C09K 11/80 CPP ,  H01J 29/20
FI (2件):
C09K 11/80 CPP ,  H01J 29/20

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