特許
J-GLOBAL ID：200903043086055895

液晶表示装置及び電子機器

発明者：
佐竹 瑠茂

佐竹 瑠茂 について

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西 毅

西 毅 について

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平形 吉晴

平形 吉晴 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-151840
公開番号（公開出願番号）：特開平11-344726
出願日： 1998年06月02日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：
【要約】【課題】 画素電極の光反射率を向上させ、低コストで、明るく消費電力の少ない液晶表示装置を実現する。【解決手段】 絶縁表面を有する基板101上に形成されたTFT102に接続する画素電極104上に、第1の誘電体膜(低屈折率膜)105と第2の誘電体膜(高屈折率膜)106とでなる誘電体多層膜を形成する。この誘電体多層膜は増反射効果を生み出す様に、nd=λ/4の式に従って屈折率(n)、中心波長(λ)及び膜厚(d)が決定されている。
請求項（抜粋）：
金属膜からなる複数の画素電極と、該複数の画素電極の上に配置された液晶層とを有する反射型の液晶表示装置であって、前記複数の画素電極の上に形成された第1の誘電体膜と、前記第1の誘電体膜の上に形成された、該第1の誘電体膜よりも屈折率の高い第2の誘電体膜とを有し、前記第1の誘電体膜の膜厚及び屈折率を各々dL 、nL とし、前記第2の誘電体膜の膜厚及び屈折率を各々dH 、nH とする時、前記第1の誘電体膜の膜厚dL 及び第2の誘電体膜の膜厚dH は、 350nm≦λL ≦550 nm、 380nm≦λH ≦700 nm又は 450nm≦λL ≦650 nm、 300nm≦λH ≦450 nm(ただしλL =4nL dL 、λH =4nH dH )を満たす様に調節されていることを特徴とする液晶表示装置。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1335 520 ,  G02F 1/1343
FI (3件)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1335 520 ,  G02F 1/1343
引用特許：
審査官引用 (4件)
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