特許

J-GLOBAL ID：200903043086174134

プラズマCVD方法

発明者： 宮本 孝章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-139765
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008212
出願日： 1994年06月22日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】 微細でアスペクト比の大きな接続孔内へ、含有塩素量が小さく、ステップカバレッジに優れたTiNバリアメタル層を形成するプラズマCVD方法を提供する。【構成】 低TiCl4 分圧のプラズマCVDによる第1のTiN層51と、高TiCl4 分圧のプラズマCVDによる第2のTiN層52を連続して形成する2段階プラズマCVDを採用する。【効果】 下地Ti層4との界面に偏析しやすい塩素量を低減でき、Al系金属層6のアフターコロージョンを防止できる。また低塩素量なのでコンタクト抵抗の減少にも寄与する。

請求項（抜粋）：

Ti系ガス、H2 および窒素系ガスを含む混合ガスを用いて被処理基板上にTiNを形成するプラズマCVD方法において、該混合ガス中の前記Ti系ガスの混合比を小とした第1のプラズマCVD工程と、該混合ガス中の前記Ti系ガスの混合比を大とした第2のプラズマCVD工程とをこの順に施すことを特徴とする、プラズマCVD方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/34