特許
J-GLOBAL ID：200903043086739530
シリコンウエハ表面の処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田村 巌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-220622
公開番号（公開出願番号）：特開平6-041770
出願日： 1992年07月27日
公開日（公表日）： 1994年02月15日
要約：
【要約】【目的】 シリコンウエハ表面を洗浄処理又はエツチング処理する方法において、シリコンウエハ表面の微粒子による汚染を防止するシリコンウエハ表面の処理方法を提供する。【構成】 フツ化水素酸、塩酸、硝酸、過酸化水素水、酢酸、フツ化アンモニウム、リン酸の少なくとも1種を含む処理液によりシリコンウエハ表面を洗浄処理又はエツチング処理する方法において、該処理液に界面活性剤を添加して該処理液中の微粒子のゼータ電位を+30mV以下に維持し、その処理液により処理してシリコンウエハ表面の微粒子による汚染を防止する上記処理方法。
請求項（抜粋）：
フツ化水素酸、塩酸、硝酸、過酸化水素水、酢酸、フツ化アンモニウム、リン酸の少なくとも1種を含む処理液によりシリコンウエハ表面を洗浄処理又はエツチング処理する方法において、該処理液に界面活性剤を添加して該処理液中の微粒子のゼータ電位を+30mV以下に維持し、その処理液により処理してシリコンウエハ表面の微粒子による汚染を防止する上記処理方法。
IPC (2件)：
C23F 1/24
, H01L 21/304 341
