特許
J-GLOBAL ID：200903043092982331

高周波モジュールおよび高周波モジュールの製造方法

発明者：
小倉 洋

小倉 洋 について

, 
高橋 和晃

高橋 和晃 について

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藤田 卓

藤田 卓 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-302946
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209411
出願日： 2002年10月17日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：
【要約】【課題】 導波管を内蔵した高周波におけるモジュールを高性能かつ安価に実現する。【解決手段】 第1の誘電体基板101の2つの主面に開口した矩形状の貫通孔114を形成し、各主面上にそれぞれ貫通孔114の開口を覆う接地のための導体103、104を形成し、貫通孔114内における誘電体基板101の対向する壁面上に導電体層102を形成する。各導体103、104および導電体層102とで囲まれた空間で導波管を構成する。この導波管は結合スロット105を通じて、第2の誘電体基板106上の入出力線路107と電磁結合させる。誘電体基板101中に壁面が連続した導波管を作成できることから、損失の小さい導波管が実現でき、高性能な高周波モジュールを実現することができる。
請求項（抜粋）：
第1、第2の主面、および前記第1、第2の主面に開口した矩形状の貫通孔を有する誘電体基板と、前記第1、第2の主面上にそれぞれ設けられ、前記貫通孔の開口を覆う接地のための第1、第2の導体と、前記貫通孔内における前記誘電体基板の対向する壁面上に形成された導電体層とを備え、前記第1、第2の導体と前記導電体層とで囲まれた空間で導波管構造を構成した高周波モジュール。
IPC (5件)：
H01P 3/12 ,  H01L 23/12 301 ,  H01P 1/207 ,  H01P 5/107 ,  H01P 11/00
FI (6件)：
H01P 3/12 ,  H01L 23/12 301 L ,  H01P 1/207 Z ,  H01P 5/107 B ,  H01P 5/107 J ,  H01P 11/00 D
Fターム (10件)：
5J006JB02 ,  5J006LA02 ,  5J006LA21 ,  5J006LA25 ,  5J006NA01 ,  5J006NA06 ,  5J006NA09 ,  5J006PA03 ,  5J006PA04 ,  5J014DA06
引用特許：
審査官引用 (12件)
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