特許

J-GLOBAL ID：200903043100706624

温度特性の向上された導電性高分子化合物

発明者： シュボン・リー ,  チャンジン・リー
出願人/特許権者： コリア・リサーチ・インスティテュート・オブ・ケミカル・テクノロジー(ジュリディカル・ファウンデーション)
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-327418
公開番号（公開出願番号）：特開平7-238149
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【構成】 構造式(I)の陰イオン中の一つと他の陰イオンがドーパントとして共に存在し、構造式(I)の陰イオンが0.1%〜50%混入されていることを特徴とする温度特性が向上された構造式(II)で示される導電性高分子化合物。【化1】【化2】【効果】 熱的安定性および電気伝導度が良好である。

請求項（抜粋）：

下記の構造式(I)の陰イオン中の一つおよび他の陰イオンがドーパントとして共に存在し、構造式(I)の陰イオンが0.1%〜50%混入されていることを特徴とする温度特性が向上された下記の構造式(II)に示される導電性高分子化合物:【化1】(上記式の中で、M+はNa+、K+、(C2H5)4N+または(C4H9)4N+であり、R1、R2、R3およびR4は相互同一または相違するもので、各々H、メチル、エチル、イソプロピル、t-ブチル、オクチル、ドデシル基の中で一つである。)【化2】(上記式の中で、RはNHまたはSであり、DはBF4-、PF6-、Cl-、Br-、I-、AsF5-2、SO4-2、p-トルエンスルホネート、1-ナフタレンスルホネート、2-ナフタレンスルホネートの中の一つまたは複数個であり、ここでxに対するyの比率は0.1%〜50%であり、zの比率は0%〜30%である。)。

IPC (3件)：

C08G 61/12 NLJ ,  C08G 73/00 NTB ,  H01B 1/12