特許

J-GLOBAL ID：200903043100806270

半導体素子製造工程の微粒子粉塵処理方法及びその装置

発明者： 淡路 敏夫
出願人/特許権者： 淡路 敏夫
代理人 (1件)： 澤 喜代治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-339812
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186066
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、構成が簡単で、しかも、小型でありながら、0.01μm程度以上の微粒子粉塵を長期間にわたって捕獲できる半導体素子製造工程の微粒子粉塵処理方法及びその装置を提供することを目的とする。【構成】 本発明は、半導体素子製造工程において微粒子粉塵を発生する微粒子粉塵発生源から微粒子粉塵を含有する気体を目の大きさが上流側から下流側に順に小さくなる3層以上のフィルタを積層した積層フィルタで濾過して微粒子粉塵を分離して回収する半導体素子製造工程の微粒子粉塵処理方法において、微粒子発生源からの上記気体を上記積層フィルタに通す前に回転ブラシに通して水分及び油分を分離することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体素子製造工程において微粒子粉塵を発生する微粒子粉塵発生源から微粒子粉塵を含有する気体を目の大きさが上流側から下流側に順に小さくなる3層以上のフィルタを積層した積層フィルタで濾過して微粒子粉塵を分離して回収する半導体素子製造工程の微粒子粉塵処理方法において、上記微粒子粉塵発生源からの上記気体を上記積層フィルタに通す前に回転ブラシに通して水分及び油分を分離することを特徴とする半導体素子製造工程の微粒子粉塵処理方法。