特許

J-GLOBAL ID：200903043100898892

フォトレジストパターンの予測方法

発明者： 田邊 容由 ,  塩入 智美 ,  潮田 淳
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-038386
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236424
出願日： 1995年02月27日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 フォトマスクパターンの補正,露光実験のシミュレーション等で必要となる、簡便かつ精度良く光強度分布からフォトレジストパターンを予測する方法を提供する。【構成】 基準パターンの輪郭から一定の距離dだけ離れた位置における光強度をI0とし、設計パターンの光強度がI0となる位置からdだけ設計パターンの輪郭よりの位置を、設計パターンを転写するときに形成されるフォトレジストパターンの予測位置とする。

請求項（抜粋）：

基準パターンと設計パターンとの異なる光強度分布に基づき、露光装置を用いてフォトレジスト上に設計パターンを転写する際に形成されるフォトレジストパターンの輪郭を予測するフォトレジストパターンの予測方法であって、基準パターンの輪郭外の任意の位置における光強度を光強度分布より算出し、前記光強度を閾値として用い、その閾値に該当する光強度の位置を設計パターンの光強度分布より算出し、その位置情報に基づいてフォトレジスト上でのフォトレジストパターンの輪郭を予測することを特徴とするフォトレジストパターンの予測方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  C23F 1/00 102 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521

FI (6件)：

H01L 21/30 516 Z ,  C23F 1/00 102 ,  G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 525 W