特許

J-GLOBAL ID：200903043107391610

窒化珪素質焼結体の製造方法

発明者： 織田 武廣
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-313785
公開番号（公開出願番号）：特開2004-149328
出願日： 2002年10月29日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】反応焼結法による窒化珪素質焼結体の窒化反応時に、実質的に窒素からなる雰囲気中で発熱反応を制御することによって、温度暴走を抑止し、焼成時の寸法変化が小さく、かつ機械特性に優れた、低コストの窒化珪素質焼結体を得る。【解決手段】Si粉末と窒化珪素粉末の混合粉末を主成分とし、周期律表第3a族酸化物を含有してなる成形体を、1000〜1500°Cの温度域で窒素雰囲気中で窒化体を得る窒化工程と、窒素を含む非酸化性雰囲気中で前記窒化体の焼成を行い緻密化させる焼成工程からなる窒化珪素質焼結体の製造方法において、前記窒化工程における窒化反応の開始からのSi1kg当たりの窒素ガスの積算導入量が、0.2Nm3までは炉内の雰囲気圧力を5〜40kPaとし、前記積算導入量が0.2Nm3を超えた後は雰囲気圧力を20〜120kPaとして、Siを窒化珪素に変換させる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

Si粉末またはSi粉末と窒化珪素粉末の混合粉末を主成分とし、周期律表第3a族酸化物を含有してなる成形体を、1000〜1500°Cの温度域で実質的に窒素からなる雰囲気中でSiを窒化珪素に変換し、窒化体を得る窒化工程と、窒素を含む非酸化性雰囲気中で前記窒化体の焼成を行い緻密化させる焼成工程からなる窒化珪素質焼結体の製造方法において、前記窒化工程における窒化反応の開始からのSi1kg当たりの窒素ガスの積算導入量が、0.2Nm3までは焼成炉内の雰囲気圧力を5〜40kPaとし、前記積算導入量が0.2Nm3を超えた後は雰囲気圧力を20〜120kPaとして、Siを窒化珪素に変換させることを特徴とする窒化珪素質焼結体の製造方法。

IPC (2件)：

C04B35/591 ,  C04B35/584

FI (2件)：

C04B35/58 102V ,  C04B35/58 102D

Fターム (16件)：

4G001BA03 ,  4G001BA08 ,  4G001BA32 ,  4G001BA62 ,  4G001BB03 ,  4G001BB08 ,  4G001BB32 ,  4G001BC46 ,  4G001BC48 ,  4G001BC52 ,  4G001BC54 ,  4G001BC55 ,  4G001BC71 ,  4G001BD11 ,  4G001BD16 ,  4G001BE02