特許
J-GLOBAL ID：200903043108249087
プラズマエツチング方法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-197731
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047709
出願日： 1991年08月07日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】パターン寸法がミリメートル単位の化学的エッチングを行う加工要素技術に関する。【構成】高周波電極2と被処理材1を適当な間隔に保ち、圧力及び印加する高周波電力4を制御し、かつ高周波電極2の構造により、あるいは両者の間にマスクスペ-サを設ける構成とすることで局所的なエッチングを行うもので、また被処理材と高周波電極のいずれかを水平移動させることにより2次元的なエッチングプロファイルを、さらには高周波電極と被処理材との間隔を制御することで、高周波電極の形状を被処理材に転写したような3次元エッチングプロファイルを形成できる方法、装置である。
請求項（抜粋）：
ハロゲンなど電気陰性度の大きなガス雰囲気内で、高周波電極に高周波を印加して被処理材をエッチングするドライエッチング方法において、前記高周波電極と近接した該被処理材との一部にプラズマを発生させ、そのプラズマの発生した部分を主としてエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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