特許
J-GLOBAL ID：200903043109696214
MOSトランジスタ構造およびこれを用いた電荷転送装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-106034
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297295
出願日： 1994年04月20日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【目的】 入力電圧に対する出力電圧の変換割合を低下させたり、出力電圧のマージンを無くすことなくドレイン電圧の低電圧化を可能としたMOSトランジスタ構造を提供する。【構成】 基板となるP型ウエル領域14を上下2層構造とし、この2層構造のP型ウエル領域14の上層のP+ 型不純物領域14bの基板表面側に形成された2つのN++型不純物領域15,16およびこれら領域15,16間のチャネル領域の上方に配されたゲート電極18によってエンハンスメント型MOSトランジスタ(A)を構成する一方、P+ 型不純物領域14bの基板表面側に形成された2つのN++型不純物領域19,20、これら領域15,16間のチャネル領域の基板表面側に形成されたN+ 型不純物領域21およびその上方に配されたゲート電極22によってデプレッション型MOSトランジスタ(B)を構成する。
請求項（抜粋）：
エンハンスメント型MOSトランジスタとデプレッション型MOSトランジスタとが同一の基板上に形成されたMOSトランジスタ構造であって、前記基板は上下2層構造のP型基板からなり、前記エンハンスメント型MOSトランジスタは、前記2層構造のP型基板の上層の表面側に形成された2つのN型不純物領域と、この2つのN型不純物領域間のチャネル領域の上方に配されたゲート電極とからなり、前記デプレッション型MOSトランジスタは、前記2層構造のP型基板の上層の表面側に形成された2つのN型不純物領域と、この2つのN型不純物層間のチャネル領域の表面側に形成されたN型不純物領域と、このN型不純物領域の上方に配されたゲート電極とからなることを特徴とするMOSトランジスタ構造。
IPC (5件)：
H01L 21/8236
, H01L 27/088
, H01L 29/762
, H01L 21/339
, H01L 29/78
H01L 27/08 311 B
, H01L 29/76 301 C
, H01L 29/78 301 H
