半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-010561
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206307
出願日： 1992年01月24日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】蓋の取着部分及びその近傍で、破損や亀裂等が発生する虞がない半導体装置を提供する。【構成】基台11に搭載した半導体チップ15を気密に封止する蓋19が、基台11に取着される部分の近傍に柔構造部21を設けて構成されているため、製造時や実装時あるいは稼働時に発生する周囲の温度上昇や自己発熱による温度上昇等に起因して蓋19と基台11との間に熱膨張差が生じるが、柔構造部21での変位の吸収により蓋19の基台11への取着部分やその近傍に応力の集中がなくなる。これによって取着部分及びその近傍で、破損や亀裂等が発生する虞がなくなり気密状態が保持できるようになって、歩留や信頼性が向上する。

請求項（抜粋）：

基台上に搭載した半導体チップを、前記基台と熱膨張係数の異なる材料で形成された蓋を前記基台に気密に取着することによって封止するようにした半導体装置において、前記蓋は前記基台に取着する部分の近傍に柔構造部が設けられていることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

自動昇降式掘炬燵
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-203134 出願人：松下電工株式会社

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