特許
J-GLOBAL ID：200903043112801762
半導体基板の製造方法及びその装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志波 邦男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-199084
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037796
出願日： 1993年07月17日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板裏面保護膜を形成するに際し、水溶性樹脂が基板周縁部に残留するのを防止し、また残ってもこれによる不具合を生じるのを防止する。【構成】 半導体基板20の表面に水溶性樹脂23を塗布して水溶性樹脂膜を形成し、次に水溶性樹脂膜を介して半導体基板20の表面を支持した状態で裏面にスピンナを用いてレジスト24を塗布してレジスト膜を形成し、次に水溶性樹脂膜を剥離する一連の工程を含む半導体基板の製造方法において、半導体基板20の表面に水溶性樹脂23を塗布した後に、半導体基板20の裏面側の周縁部を水溶性樹脂用剥離液によりリンスして半導体基板20の裏面側に回り込んで付着している水溶性樹脂23を除去する工程と、半導体基板20の裏面にレジスト24を塗布した後に半導体基板20の表面の周縁部をレジスト用剥離液によりリンスして半導体基板20の表面側に回り込んで付着しているレジスト24を除去する工程のいずれか一工程又は両工程を行う。その後、水溶性樹脂を剥離した後、半導体基板を高速で自転させて乾燥する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面(以下「表面」という。)を支持した状態で該表面の反対側の一主面(以下「裏面」という。)にスピンナを用いてレジストを塗布するために、前記表面上に水溶性樹脂膜を形成して該表面部を保護し、次に該水溶性樹脂膜を介して前記表面部を支持した状態で前記裏面部にスピンナを用いてレジストを塗布し、さらに、前記水溶性樹脂膜を水溶性樹脂用剥離液により剥離する一連の工程を含む半導体基板の製造方法において、前記表面部に前記水溶性樹脂を塗布した後に前記裏面側の周縁部を水溶性樹脂用剥離液によりリンスして該裏面側に回り込んで付着している前記水溶性樹脂を除去する工程と、該裏面部に前記スピンナを用いて前記レジストを塗布した後に前記表面側の周縁部をレジスト用剥離液によりリンスして該表面側に回り込んで付着している該レジストを除去する工程のいずれか一工程又は両工程を行い、さらに、前記水溶性樹脂膜を水溶性樹脂用剥離液により剥離した後に、前記半導体基板を高速で自転させて乾燥することを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (2件)：
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