特許
J-GLOBAL ID：200903043113500200
ダイヤフラム型素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-141036
公開番号（公開出願番号）：特開平10-318864
出願日： 1997年05月15日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 歩留まりの向上を図るダイヤフラム型素子の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板1の裏面にダイヤフラム形成領域パターン11と帯状の基板切断パターン12を形成した後に、シリコン基板1の表面にシリコン酸化膜2を形成し、次に、ダイヤフラム形成領域パターン11をシリコン基板1の裏面側から異方性エッチングしてダイヤフラム3を形成し、また、異方性エッチングによりシリコン基板1の裏面にV溝13を形成して{1 1 1}面を露出させる。そして、基板切断パターン12に沿ってシリコン基板1を劈開する。ダイヤフラム3の位置に対応するシリコン基板表面の下部電極4の形成領域を劈開面14を基準にして求めてメタルマスク15をシリコン基板1の上側に配置し、下部電極4をシリコン基板1の表面に形成し、その上に圧電膜5と上部電極6を順に積層してダイヤフラム型素子が完成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板の表面側に形成されたダイヤフラムの上に素子形成膜が形成されて成るダイヤフラム型素子の製造方法において、シリコン基板の{1 1 1}面とシリコン基板の裏面とが交差する線に平行な帯状の基板切断パターンを形成する領域と、ダイヤフラムを形成する領域とをシリコン基板の裏面に予め定めておき、まず、シリコン基板の表面にダイヤフラムを構成するダイヤフラム形成膜を形成し、次に、上記ダイヤフラム形成領域をシリコン基板の裏面側からエッチング除去してダイヤフラムを形成し、また、上記シリコン基板の裏面側から上記基板切断パターンの形成領域をエッチングして{1 1 1}面を露出させ、然る後、上記基板切断パターンに沿ってシリコン基板を劈開し、その後、上記シリコン基板の劈開面を基準座標軸として求めたダイヤフラムの位置に対応するシリコン基板表面の素子形成膜の形成領域に上記素子形成膜を形成することを特徴とするダイヤフラム型素子の製造方法。
IPC (6件)：
G01L 9/04 101
, H01L 29/84
, H01L 37/02
, H01L 41/09
, H03H 3/02
, H03H 9/17
G01L 9/04 101
, H01L 29/84 B
, H01L 37/02
, H03H 3/02 B
, H03H 9/17 F
, H01L 41/08 C
