特許
J-GLOBAL ID：200903043113807403
半導体ウエハー加熱装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-321996
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077148
出願日： 1992年12月01日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハーの中心部と周縁部との温度差を制御し、半導体膜の膜厚を一定にできるようにすることである。【構成】 緻密質セラミックスからなる盤状基体2は、平面的にみて略円形の外側輪郭を有する。抵抗発熱体4を盤状基体2の内部に埋設する。盤状基体2の半導体ウエハー加熱面5から背面19へと向かって円形貫通孔3が形成されている。半導体ウエハーWの周縁から中心へと向かって伝熱する。円形貫通孔3の内側に、補助ヒーター21を設置する。盤状基体2の外側に、外周側ヒーターを設置することもできる。
請求項（抜粋）：
平面的にみて略円形の外側輪郭を有する緻密質セラミックス製の盤状基体と、この盤状基体の内部に埋設された抵抗発熱体とを有する半導体ウエハー加熱用セラミックスヒーターであって、前記盤状基体の半導体ウエハー加熱面から背面へと向かって貫通孔が形成されている半導体ウエハー加熱用セラミックスヒーター;及び平面的にみて略円形の外側輪郭を有する緻密質セラミックス製の盤状基体とこの盤状基体の内部に埋設された抵抗発熱体とを有する補助ヒーターを備えた半導体ウエハー加熱装置であって、前記貫通孔の内側に前記補助ヒーターが設置されている半導体ウエハー加熱装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/22
, H05B 3/14
