特許
J-GLOBAL ID：200903043116973894
共形HリッチSi3N4層の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-223877
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110673
出願日： 2001年07月25日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】 共形HリッチSi3N4層を付着させる改良された方法を提供する。【解決手段】 0.18ミクロン以下のグラウンド・ルールを有するEDRAM/SDRAMシリコン・チップの製造において、ボーダレス・ポリシリコン・コンタクトの製造中に、パターニングされた構造の上にSi3N4バリア層を付着させる。接合リークを防ぐために、この層が共形で、高い水素原子含量を有することが必要である。これらの目的は、本発明の方法によって達成される。第1の実施形態では、Si3N4層を、高速熱化学蒸着(RTCVD)リアクタ中でNH3/SiH4ケミストリを使用して温度600〜950°C、圧力50〜200Torrの範囲で付着させる。第2の実施形態では、Si3N4層を、低圧化学蒸着(LPCVD)炉中でNH3/SiH2Cl2ケミストリ(好ましくは1:1)を使用して温度640〜700°C、圧力0.2〜0.8Torrの範囲で付着させる。
請求項（抜粋）：
パターニングされた構造上に共形HリッチSi3N4層を付着させる方法であって、a)ゲート導体(GC)線がその上に形成された薄いSiO2ゲート層で覆われ、隣接する2本のGC線間に形成された少なくとも1つの拡散領域を有するシリコン基板から成るパターニングされた構造を用意する段階と、b)前記構造上に共形HリッチSi3N4層を、高速熱化学蒸着(RTCVD)リアクタ中でSi前駆体ベースのケミストリを使用して温度600〜950°C、圧力50〜200Torrの範囲で付着させる段階とを含む方法。
IPC (3件)：
H01L 21/318
, H01L 21/8242
, H01L 27/108
H01L 21/318 B
, H01L 27/10 625 A
5F058BD02
, 5F058BD04
, 5F058BD07
, 5F058BD10
, 5F058BF04
, 5F058BF17
, 5F058BF23
, 5F058BF27
, 5F058BF30
, 5F058BF36
, 5F058BH12
, 5F058BJ02
, 5F083AD17
, 5F083PR21
