特許

J-GLOBAL ID：200903043120097691

3次元半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 小柳 光正 ,  栗野 浩之
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-062421
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261000
出願日： 1998年03月13日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】 工程を低減し、迅速・的確に作製し、信頼性を高めることができる貼り合わせによる3次元半導体集積回路装置の製造方法を提供する。【解決手段】 貼り合わせによる3次元半導体集積回路装置の製造方法において、トレンチに埋め込まれる垂直相互接続体17を形成するとともに、半導体集積回路が形成された上層のLSIウエハ11をセットする工程と、前記上層のLSIウエハ11の垂直相互接続体17の端面にバンプ19を形成する工程と、前記バンプ19を介して下層の半導体集積回路が形成された基板となるLSIウエハ1上に貼り合わせを行う工程と、前記バンプ19のみで貼り合わせ積層化した前記上下2層のウエハ1,11間に絶縁性接着剤20を注入する工程とを施す。

請求項（抜粋）：

貼り合わせによる3次元半導体集積回路装置の製造方法において、(a)トレンチに埋め込まれる垂直相互接続体を形成するとともに、半導体集積回路が形成された上層のウエハをセットする工程と、(b)前記上層のウエハの垂直相互接続体の端面にバンプを形成する工程と、(c)前記バンプを介して下層の半導体集積回路が形成された基板となるウエハ上に貼り合わせを行う工程と、(d)前記バンプのみで貼り合わせ積層化した前記上下2層のウエハ間に絶縁性接着剤を注入する工程とを施すことを特徴とする3次元半導体集積回路装置の製造方法。