特許
J-GLOBAL ID：200903043120218065
半導体集積回路の動作方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-100920
公開番号（公開出願番号）：特開2004-260782
出願日： 2003年02月27日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：
【課題】消費電力PDおよび総消費電力PTを大幅に削減する。【解決手段】論理ゲートが動作しているとき、該論理ゲートが消費する電力は主として充電電流(iC)と放電電流(iD)が流れることにより消費される電力(pD)で、近似的に下式で与えられる.pD≒C・f・VD2 [W]ここで、Cは負荷容量、fは入力信号の周波数、VDは電源電圧である.pDはVDの二乗に比例するので、VDを低減すれば、pDを大幅に低減できることがわかる.例えば、VDを2.5Vから1/10の0.25Vへ低減すれば、該pDは1/100に激減する.本発明は、n-MOSFETの標準的なしきい値電圧以下およびp-MOSFETのきい値電圧の絶対値以下にVDを設定し、MOSFETを弱反転層領域でスイッチング動作させる。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
信号処理動作中の半導体集積回路を構成する複数個のMOS形電界効果トランジスタ(MOSFET)を弱反転層領域でスイッチング動作させる方法.
IPC (2件)：
FI (2件)：
H03K17/687 F
, H03K19/094 B
5J055AX12
, 5J055AX55
, 5J055AX56
, 5J055AX64
, 5J055BX16
, 5J055BX44
, 5J055CX00
, 5J055DX22
, 5J055DX56
, 5J055DX72
, 5J055DX83
, 5J055EX02
, 5J055EY10
, 5J055EY21
, 5J055EZ07
, 5J055FX37
, 5J055GX01
, 5J055GX04
, 5J055GX05
, 5J055GX06
, 5J056AA05
, 5J056BB17
, 5J056CC00
, 5J056DD13
, 5J056DD29
, 5J056DD51
, 5J056EE06
, 5J056FF08
, 5J056GG09
, 5J056JJ00
, 5J056KK01
, 5J056KK03
